Основная информация
Направления применения
Высококлассный зондовый стенд CH подходит для самых разнообразных высокоточных измерений на уровне пластин, удовлетворяя специализированные требования тестирования в таких областях, как надёжность на уровне пластины (WLR), анализ отказов (FA), проектирование интегральных схем, микроэлектромеханические системы (MEMS) и высокомощные приложения (HP). Система поддерживает широкий спектр измерений, включая I‑V‑кривые, C‑V‑кривые, L‑I‑V‑кривые, радиочастотные испытания, а также испытания при высоких напряжениях и больших токах.
Технические особенности
1. Возможность высокоточного тестирования в различных сценариях
Поддержка всех типов испытаний — IV, CV, LIV, RF, а также высоковольтных и больших токов; охватывает передовые научно‑исследовательские и промышленные тестовые сценарии, включая надёжность на уровне пластин, анализ отказов, MEMS‑устройства и полупроводниковые приборы высокой мощности.
2. Эргономичный дизайн
Оснащён регулируемой платформой для игольницы, поддерживающей функцию быстрого подъёма и опускания, что облегчает быстрое разделение образца и зонда; патрон обеспечивает вращение и фиксацию, что делает работу удобной и эффективной, повышая качество экспериментов и испытаний.
3. Высококомпатибельный разъём для зондов
Платформа для контактных площадок совместима с позиционерами постоянного тока и радиочастоты, поддерживает магнитный или вакуумный способ крепления, а также адаптируется к различным высокоточным зондам и тестовым аксессуарам, удовлетворяя потребности в разнообразных тестовых решениях.
4. Богатый и гибкий выбор конфигураций
Предоставляется полный спектр индивидуальных конфигураций, включающий различные патроны, высоковольтные модули постоянного/радиочастотного тока — от 1 до 10 кВ, миниатюрные позиционеры, микроскопы, камеры, крепления для печатных плат и др.; возможна свободная компоновка с учётом самых разнообразных требований к испытаниям.
Конструктивные особенности зондирующих стендов серии CH‑8

Конструктивные особенности зондирующих стендов серии CH‑12